半橋(DC-DC )氮化鎵 (GaN)電源轉換降壓Buck實驗模組

特色:

• 整合半橋氮化鎵(GaN)控制卡與控制電路板基座，應用在同步 降壓Buck Mode設計

• 最高輸入電壓480V(最高600V有限制輸入)

• 電流輸出最高6A(需要外加強力風扇)

• 錯誤訊號FAULT輸出與錯誤指示燈

• 結合半橋氮化鎵(GaN)模組 ，切換頻率50kHz to 200kHz

• 訊號控制方式:

  • 提供2個PWM輸入控制訊號(同步控制模式)

• 訊號量測方式:

  • 輸入端電壓量測輸出(0~480V轉成0~3.3V準位)

  • 輸出電壓量測輸出((0~480V轉成0~3.3V準位)

  • 輸入電流量測輸出(0~6A轉成0~3.3V準位)

  • 輸出電流量測輸出(0~6A轉成0~3.3V準位)

半橋氮化鎵(GaN)控制卡:

• 採用TI LMG3410 600V GaN功率級具有整合式驅動和保護，較矽MOSFETs具有更大優勢。其中包括超低輸入和輸出電容。特點包括零反轉恢復，降低開關損失多達80%，及低開關節點響鈴以降低EMI。

• LMG3410R070 GaN功率級利用全新方式幫助推出功率密度與效率層級更高的功率電子系統，可實現Totem Pole PFC之類的高密度與高效拓撲。其獨有的功能組合包含整合式閘極驅動器，可執行100 V/ns切換，達到接近零的Vds振鈴，以及100 ns的電流限制，可自我保護，防止意外的擊穿事件。

• 運作時間，建議外掛200LFM minimum airflow風扇

• 半橋氮化鎵(GaN)膜組方塊圖

控制電路板基座:

• 採用12V外部輔助電源，並輸出5V電源，可提供給DSP開發板所需電源

• 包含2.54MM排針，提供輸入訊號控制和輸出訊號量測點

• 採用兩組電感線圈150uH/7.5A(S/N:2300HT-151-H-RC)可視需求替換