MW-GaN_Boost_Mode
半橋氮化鎵 (GaN)電源轉換升壓Boost實驗模組
特色:
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整合GaN-ControlBoard半橋氮化鎵(GaN)控制卡與GaN-MainBoard控制基座，應用在同步 升壓Boost Mode設計
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結合半橋氮化鎵(GaN)模組 ，切換頻率50kHz to 150kHz
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訊號控制方式:
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提供2個PWM輸入控制訊號(同步控制模式)
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訊號量測方式:
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輸入端電壓量測輸出(0~450V轉成0~3.3V準位)
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輸出端電壓量測輸出((0~450V轉成0~3.3V準位)
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輸出電流量測輸出(0~8.25A轉成0~3.3V準位)
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正電源輸入電壓，建議基本操作在400V以下的直流電壓輸入
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輸出電壓透過PWM控制方式升壓設計與調整，可支援最大6A電流輸出能力，建議操作在4A以下電流。(請外掛至少200LFM minimum airflow風扇降溫，並隨時監測GaN溫度)
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需要額外供應12V電源輸入，電路產生5V電源輸出，可提供1A電流
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1組電源指示燈
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操作在升壓Boost模式時，請注意輸出端要加上負載裝置。
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方塊圖
GaN-ControlBoard半橋氮化鎵(GaN)控制卡:
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GaN-ControlBoard半橋氮化鎵(GaN)控制卡採用兩顆GAN039-650NTB GaN FETs來進行電路Half-bridge設計。
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尺寸大小:50mmX50MM(外面外加散熱片)
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GAN039-650NTB為Nexperia半導體所設計最新氮化鎵晶片，其特性包含:
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650 V, 33 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET
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Simplified driver design as standard level MOSFET gate drivers can be used:
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0 V to 12V drive voltage
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Gate threshold voltage VGSth of 4V
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Robust gate oxide with ±20V VGS rating
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High gate threshold voltage of 4 V for gate bounce immunity
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支援DSP控制卡:
| 工具與開發環境 | 型號 | 說明 |
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TMS320F28377D控制卡(176腳位) | 使用雙核心TMS320F28377D(176腳位)的標準開發套件，浮點運算200MHz速度 |
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TMS320F28379D控制卡(176腳位) | 使用雙核心TMS320F28379D(176腳位)的標準開發套件，浮點運算200MHz速度 。 |
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TMS320F28388D控制卡(176腳位) | 使用多核心TMS320F28388D(176腳位)的標準開發套件，浮點運算200MHz速度 。 |
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XDS1xx ISO V2(隔離式)模擬器 | 第二代XDS1xx USB介面模擬器，添加隔離式介面，支援CCS4.x、5.x、CCS6.x
。(提供比上一代更高兩倍的傳輸速度)New!
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最新一代XDS11x USB介面模擬器
，添加隔離式介面，可支援CCS6.x以上版本。(提供比上一代更高五倍的傳輸速度)New!。
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